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参数目录42074
> PSMN1R2-25YL,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
型号:
PSMN1R2-25YL,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN1R2-25YL,115 PDF
产品目录绘图
MOSFET LFPAK-4
标准包装
1,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6380pF @ 12V
功率 - 最大
121W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
带卷 (TR)
其它名称
568-4909-2
934063812115
查看PSMN1R2-25YL,115代理商
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